歐械（廈門(mén)）科技研究院（有限合伙）
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詳細(xì)摘要： BSC320N20NS3G是一款采用OptiMOS 3技術(shù)的N溝道功率MOSFET，其性能使其成為高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。該器件具有200V的漏源電壓額定值...
產(chǎn)品型號(hào)：BSC320N20NS3G所在地：廈門(mén)市更新時(shí)間：2025-10-21 在線留言
詳細(xì)摘要： BSC190N15NS3G是一款采用OptiMOS 3技術(shù)的N溝道功率MOSFET，其設(shè)計(jì)旨在提供效率和功率密度。該器件額定電壓為150V，連續(xù)漏極電流達(dá)190...
產(chǎn)品型號(hào)：BSC190N15NS3G所在地：廈門(mén)市更新時(shí)間：2025-10-21 在線留言
詳細(xì)摘要： BSC070N10NS5是一款采用OptiMOS 5技術(shù)的100V N溝道功率MOSFET。它憑借超結(jié)技術(shù)，在單芯片上實(shí)現(xiàn)了極低的導(dǎo)通電阻（典型值僅0.7mΩ）...
產(chǎn)品型號(hào)：BSC070N10NS5所在地：廈門(mén)市更新時(shí)間：2025-10-20 在線留言
詳細(xì)摘要： BSC070N10NS3G是一款N溝道OptiMOS?功率MOSFET，專(zhuān)為高頻高效應(yīng)用設(shè)計(jì)。其采用超結(jié)技術(shù)，具備100V的漏源電壓和僅7.2mΩ的超低導(dǎo)通電阻...
產(chǎn)品型號(hào)：BSC070N10NS3G所在地：廈門(mén)市更新時(shí)間：2025-10-20 在線留言
詳細(xì)摘要： BSC057N08NS3G是一款采用OptiMOS 3技術(shù)的N溝道功率MOSFET，其設(shè)計(jì)旨在提供效率和功率密度。該器件具有80V的漏源電壓額定值和57A的持續(xù)...
產(chǎn)品型號(hào)：BSC057N08NS3G所在地：廈門(mén)市更新時(shí)間：2025-10-20 在線留言
詳細(xì)摘要： BGA 524N6 E6327是一款采用緊湊型SOT363封裝的硅基寬帶放大器晶體管。該器件專(zhuān)為高性能射頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)，在50MHz至4GHz的寬頻帶范圍內(nèi)提供電...
產(chǎn)品型號(hào)：BSC040N10NS5所在地：廈門(mén)市更新時(shí)間：2025-10-20 在線留言
詳細(xì)摘要： BSC030N03LSGATMA1是一款OptiMOS? 系列的低壓N溝道功率MOSFET，采用SuperSO8封裝。其核心優(yōu)勢(shì)在于極低的導(dǎo)通電阻（典型值僅0....
產(chǎn)品型號(hào)：BSC030N08NS5所在地：廈門(mén)市更新時(shí)間：2025-10-20 在線留言
詳細(xì)摘要： BSC030N03LSGATMA1是一款OptiMOS? 系列的低壓N溝道功率MOSFET，采用SuperSO8封裝。其核心優(yōu)勢(shì)在于極低的導(dǎo)通電阻（典型值僅0....
產(chǎn)品型號(hào)：BSC030N03LSGATMA1所在地：廈門(mén)市更新時(shí)間：2025-10-20 在線留言
詳細(xì)摘要： BSC014N04LS是一款采用OptiMOS?技術(shù)的N溝道功率MOSFET，其性能使其成為高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。該器件額定電壓為40V，持續(xù)漏極電流達(dá)1...
產(chǎn)品型號(hào)：BSC014N04LS所在地：廈門(mén)市更新時(shí)間：2025-10-20 在線留言
詳細(xì)摘要： BGA 524N6 E6327是一款采用緊湊型SOT363封裝的硅基寬帶放大器晶體管。該器件專(zhuān)為高性能射頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)，在50MHz至4GHz的寬頻帶范圍內(nèi)提供電...
產(chǎn)品型號(hào)：BGA 725L6 E6327所在地：廈門(mén)市更新時(shí)間：2025-10-20 在線留言
詳細(xì)摘要： BGA 524N6 E6327是一款采用緊湊型SOT363封裝的硅基寬帶放大器晶體管。該器件專(zhuān)為高性能射頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)，在50MHz至4GHz的寬頻帶范圍內(nèi)提供電...
產(chǎn)品型號(hào)：BGA 524N6 E6327所在地：廈門(mén)市更新時(shí)間：2025-10-20 在線留言
詳細(xì)摘要： BFP650H6327是一款高性能的硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，專(zhuān)為低噪聲、高增益的微波應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其工作頻率覆蓋至25 GHz，典型噪聲系數(shù)在10 GHz時(shí)低至0....
產(chǎn)品型號(hào)：BFP650H6327所在地：廈門(mén)市更新時(shí)間：2025-10-20 在線留言
詳細(xì)摘要： BCR421UE6327是一款集成了電流設(shè)定電阻的線性LED驅(qū)動(dòng)器，采用緊湊的SOT-143B封裝。它設(shè)計(jì)用于提供恒定電流，輸出電流達(dá)180mA，并能承受高達(dá)4...
產(chǎn)品型號(hào)：BCR421UE6327所在地：廈門(mén)市更新時(shí)間：2025-10-16 在線留言
詳細(xì)摘要： BCR402U是一款采用緊湊型SOT-23-6封裝的低壓差線性LED驅(qū)動(dòng)芯片。它設(shè)計(jì)用于提供高達(dá)20mA的恒定電流，以驅(qū)動(dòng)單個(gè)LED或作為并聯(lián)LED的恒流源。其...
產(chǎn)品型號(hào)：BCR402UE6327所在地：廈門(mén)市更新時(shí)間：2025-10-16 在線留言
詳細(xì)摘要： BCR 401U E6327是英飛凌推出的一款高性能、可調(diào)線性恒流源驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)中低功率LED而優(yōu)化設(shè)計(jì)。它集成了一個(gè)低壓差MOSFET，能夠在寬廣的輸入電...
產(chǎn)品型號(hào)：BCR 401U E6327所在地：廈門(mén)市更新時(shí)間：2025-10-16 在線留言
詳細(xì)摘要： 2EDS8265H是一款專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)IGBT和MOSFET設(shè)計(jì)的雙通道增強(qiáng)型隔離柵極驅(qū)動(dòng)芯片。它采用無(wú)磁芯變壓器技術(shù)，提供高達(dá)5kVrms的電氣隔離，確保系統(tǒng)安全可...
產(chǎn)品型號(hào)：2EDS8265H所在地：廈門(mén)市更新時(shí)間：2025-10-15 在線留言
詳細(xì)摘要： 2EDN7524F是一款專(zhuān)為高頻應(yīng)用優(yōu)化的雙通道低邊柵極驅(qū)動(dòng)器芯片。它采用緊湊的DSO-8封裝，并集成了自舉二極管，有效節(jié)省了電路板空間和外部元件成本。該芯片可...
產(chǎn)品型號(hào)：2EDN7524F所在地：廈門(mén)市更新時(shí)間：2025-10-15 在線留言
詳細(xì)摘要： 2ED020I12-FI是一款專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)中高壓功率MOSFET和IGBT而優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器IC。它具備高達(dá)1200V的電氣隔離能力，使其非常適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)...
產(chǎn)品型號(hào)：2ED020I12-FI所在地：廈門(mén)市更新時(shí)間：2025-10-14 在線留言
詳細(xì)摘要： 1EDI60N12AF是一款基于無(wú)磁芯變壓器技術(shù)的單通道柵極驅(qū)動(dòng)芯片，專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)1200V IGBT和MOSFET而設(shè)計(jì)。它集成了強(qiáng)大的6A輸出電流能力，可提供快...
產(chǎn)品型號(hào)：1EDI60N12AF所在地：廈門(mén)市更新時(shí)間：2025-10-14 在線留言
詳細(xì)摘要： 1EDI60I12AF是一款基于無(wú)磁芯變壓器技術(shù)的單通道IGBT柵極驅(qū)動(dòng)芯片。它具備高達(dá)5 kVrms的電氣隔離強(qiáng)度，并能提供±6 A的峰值輸出電流，專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)1...
產(chǎn)品型號(hào)：1EDI40I12AF所在地：廈門(mén)市更新時(shí)間：2025-10-13 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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